a.
Merangkai dan Menguji E-MOSFET
DRAIN-FEEDBACK
b.
Memahami Materi dari bab 9.10
E-MOSFET DRAIN-FEEDBACK
1.
Resistor
Resistor berfungsi untuk menghambat atau membatasi aliran listrik yang mengalir dalam suatu rangkaian elektronika.
2.
Kapasitor
Kapasitor berfungsi sebagai penyimpan arus atau tegangan
listrik
3.
Emosfet
MOSFET
(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) adalah sebuah perangkat
semionduktor yang secara luas di gunakan sebagai switch dan sebagai penguat
sinyal pada perangkat elektronik.Transistor NPN
4.
Osiloskop
Osiloskop
dapat digunakan untuk mengukur frekuensi sinyal yang dapat berosilasi. Osilasi
juga dapat mengukur tegangan listrik serta relasinya terhadap waktu. Membedakan
arus AC dan juga arus DC dan sebuah komponen elektronika. Mengecek sinyal dalam
sebuah rangkaian elektronik.
5.
Signal Generator
Generator
fungsi adalah bagian dari peralatan atau software uji coba elektronik yang
digunakan untuk menciptakan gelombang listrik. Gelombang ini bisa
berulang-ulang atau satu kali yang dalam kasus ini semacam sumber pemicu
diperlukan, secara internal ataupun eksternal.
E-MOSFET
(Enhancement-metal-oxide semiconductor FET) adalah MOSFET tipe peningkatan yang
terdiri dari E-MOSFET kanal-P dan E-MOSFET kanal-N. Gambar di bawah menyataka
saat sinyal AC kecil maka open sirkuit antara gate dengan drain source channel
dan sumber arus dari drain ke source mempunyai besar berdasarkan sumber antara
gate ke source. Ada impedansi output dari drain ke source (rd),
dimana biasanya dinyatakan pada spesifikasi sheets sebagai yos
. Alat transconduktansi gm
dinyatakan pada spesifikasi sheets sebagai transfer lurus yaitu yfs.
Berdasarkan analisis dari JFET, sebuah persamaan gm yang telah diperoleh dari persamaan
Shokley, untuk EMOSFET, hubungan antara arus output dan tegangan control yaitu
Dimana
Kita bisa menurunkan dari
persamaan untuk menetukan gm sebagai
operating point. Yaitu:
Pada E-MOSFET drain-feedback didapat dari rangkaian berikut,
Pada
sumber DC perhitungan bahwa Rg menjadi hubung singkatt sama dengan IG = 0 A dan
kemudian VRG = 0 V. Namun, untuk sumber AC penting dinyatakan impedansi tinggi
antara V0 dan Vi. Sebaliknya, input dan output pada terminal akan terhubung
langsung maka V0 = Vi
Subtitusi
persamaan equivalent model AC pada alat akan menjadi, pada gambar 9.38
Catatan
bahwa RF menyatakan hubungan langsung antara input dan output pada sirkuit.
Berdasarkan
hukum KCL maka didapat
Prinsip kerja E-MOSFET kanal-N dimulai dengan memberikan tegangan VGS = 0 Volt dan VDS positip. Pemberian tegangan VGS = 0 adalah dengan cara menghubung-singkatkan terminal Gate (G) dan Source (S).
Oleh karena antara S dan D tidak ada kanal-N (yang mempunyai banyak elektron bebas), maka meskipun VDS diberi tegangan positip yang cukup besar, arus ID tetap tidak mengalir atau ID = 0. Antara source dan drain adalah bahan tipe-P dimana elektron adalah sebagai pembawa minoritas, sehingga saat VGS = 0 dan VDS positip yang mengalir adalah arus bocor saja. Disinilah perbedaannya dengan D-MOSFET yang mengalirkan arus ID pada saat VGS = 0 dan VDS positip.
Apabila VGS dinaikan kearah positip, maka muatan positip pada gate ini akan menolak hole dari substrat-P menjauhi perbatasannya dengan SiO2. Dengan demikian daerah substrat-P yang berdekatan dengan gate akan kekurangan pembawa mayoritas hole. Sebaliknya elektron dari substrat-P akan tertarik oleh muatan positip gate dan mendekati perbatasan substrat dengan SiO2. Perlu diingat bahwa elektron tidak bisa masuk ke gate karena substrat dan gate ada pembatas SiO2, sehingga IG tetap sama dengan nol.
Bila tegangan VGS dinaikan terus hingga jumlah elektron yang berada di dekat perbatasan dengan SiO2 cukup banyak untuk menghasilkan arus ID saat VDS positip, maka VGS ini disebut dengan tegangan threshold (VT). Pada beberapa buku data VT ini disebut juga VGS(th). Setelah mencapai tegangan VT ini, maka dengan memperbesar harga VGS, arus ID semakin besar. Hal ini karena semakin besar VGS berarti jumlah elektron yang tersedia antara source dan drain semakin banyak. Kurva tranfer dan karakteristik E-MOSFET kanal-N.
5. Rangkaian [KEMBALI]
Link Download Video 1 : klik disini
Link Download Video 2 : klik disini
Link Download Rangkaian : klik disini
Link Download HTML : klik disini
Link Download Datasheet : klik disini
Tidak ada komentar:
Posting Komentar